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IDK08G120C5XTMA1器件是1200V CoolSiC肖特基勢壘二極管，采用D2Pak封裝。CoolSiC肖特基二極管與硅基解決方案相比，熱性能的提高增加了系統(tǒng)可靠性，還能提高既定形狀因子下的輸出功率。器件結合了Si高速3 IGBT，可將Si IGBT導通損耗降低40%，同時降低電磁干擾。

產(chǎn)品規(guī)格：

技術：SiC（碳化硅）肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V

電流 - 平均整流 (Io)：22.8A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.95 V @ 8 A

速度：無恢復時間 > 500mA（Io）

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：40 μA @ 1200 V

不同 Vr、F 時電容：365pF @ 1V，1MHz

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

供應商器件封裝：PG-TO263-2-1

工作溫度 - 結：-55°C ~ 175°C

基本產(chǎn)品編號：IDK08G120

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