商品名稱:AI 存儲(chǔ)器
品牌:SK hynix
年份:24+
封裝:8Hi
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
H5WRAGESM8W-N8L
類型:DRAM
密度:16Gb
KGSD密度:128Gb
速度:3.6Gbps
封裝:8Hi
組織:x1024
電壓:1.2V
特點(diǎn)
? 使用硅通孔(TSV)的垂直堆疊DRAM芯片提供460GB/s帶寬的高帶寬內(nèi)存
? 針對(duì)深度學(xué)習(xí)加速器和人工智能系統(tǒng)優(yōu)化的優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案
概述:
SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是業(yè)界最快的內(nèi)存,I/O 速度達(dá)到 3.6Gbps,每秒可使用 1,024 個(gè) I/O 處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與之前的 HBM2 相比,新型 HBM2E 的散熱性能提高了 36%,是一款真正高效的內(nèi)存,可為您的系統(tǒng)提供強(qiáng)勁的性能。
散熱改進(jìn)
SK hynix的 HBM2E 比 HBM2 的散熱性能提高了 36%,在相同的工作條件下,平均散熱溫度降低了 14 攝氏度。
高達(dá) 9 倍的帶寬,2 倍于一代的容量提升
與 DDR5 的 2.4GB/s 帶寬和 GDDR6 的 64GB/s 帶寬相比,HBM2E 的性能最多可提高 9 倍,每秒可處理 460GB 的數(shù)據(jù)。與 HBM2 的 8GB 核心芯片密度相比,HBM2E 通過組合 8 個(gè) 16GB DRAM 芯片實(shí)現(xiàn)了 16GB 解決方案,密度比上一代 HBM2 提高了一倍。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
SK海力士前身為1983年成立的現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社,2012年被SK集團(tuán)收購以后正式更名為SK海力士株式會(huì)社。SK海力士致力于生產(chǎn)DRAM、NAND Flash和CIS非存儲(chǔ)器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,當(dāng)前在韓國(guó)利川和清州、 中國(guó)無錫和重慶設(shè)有四個(gè)生產(chǎn)基地,并在全…
HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA107N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA107N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: