商品名稱:氮化鎵芯片
品牌:NOVOSENSE
年份:24+
封裝:LGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NSD2621A-DQAGR是納芯微最新推出的專為GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片。該芯片采用了納芯微的成熟電容隔離技術(shù),高邊驅(qū)動(dòng)可以支持-700V到+700V的共模電壓,150 V/ns的SW電壓變化斜率,同時(shí)具有低傳輸延時(shí)和低通道間延時(shí)的特性。兩通道均能提供2A/-4A的驅(qū)動(dòng)能力。
特性:
- 高壓側(cè)電壓范圍:+/-700V;
- 高低邊獨(dú)立 UVLO 保護(hù)功能;
- +2/-4A 驅(qū)動(dòng)電流能力;
- 內(nèi)置LDO,使驅(qū)動(dòng)電壓更穩(wěn)定可靠;
- 低于 60ns 傳播延時(shí),低于 10ns 高低邊延時(shí)匹配;
- +5/-5V 邏輯地偏置;
- 150V/ns 的高壓側(cè) dV/dt 抗干擾能力;
- 工作環(huán)境溫度:-40℃ ~125℃
- 封裝形式: LGA (4*4mm)
- 驅(qū)動(dòng)電壓輸出NSD2621A: 6V/ NSD2621B: 5.5V/ NSD2621C: 5V
應(yīng)用
- 半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?/span>
- 適配器高密電源
- 太陽能、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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蘇州納芯微電子有限公司 (Suzhou Novosense Microelectronics Co., Ltd.)是高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司。 自2013年成立以來,公司聚焦傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向,提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案,并被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、信息通訊及消費(fèi)電子領(lǐng)域?!?/p>
NSD2621C-DQAGR
NSD2621C-DQAGR是一款專為GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片。該芯片采用了NOVOSENSE的成熟電容隔離技術(shù),高邊驅(qū)動(dòng)可以支持-700V到+700V的共模電壓,150 V/ns的SW電壓變化斜率,同時(shí)具有低傳輸延時(shí)和低通道間延時(shí)的特性。兩通道均能提供2A/-4A的驅(qū)動(dòng)能力。特性:- 高壓側(cè)電壓范圍…NSG65N15K-DQAFR
NSG65N15K-DQAFR是納芯微推出的系統(tǒng)級(jí)Power Stage產(chǎn)品,內(nèi)部集成了半橋驅(qū)動(dòng)器NSD2621和兩顆耐壓650V、導(dǎo)阻電阻150mΩ的GaN開關(guān)管,工作電流可達(dá)20A。NSG65N15K內(nèi)部還集成了自舉二極管,并且內(nèi)置可調(diào)死區(qū)時(shí)間、欠壓保護(hù)、過溫保護(hù)功能,有利于實(shí)現(xiàn) GaN應(yīng)用的安全、可靠工作…NSI6601MC-DSPR
NSI6601MC-DSPR是一種單溝道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于驅(qū)動(dòng)IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET的許多應(yīng)用。提供單獨(dú)的輸出以分別控制上升和下降持續(xù)時(shí)間。它可以提供5A/5A的峰值源/匯電流,并提供米勒箝位以防止高di/dt下的誤導(dǎo)。最小150kV/μs共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)確保了系統(tǒng)的…電話咨詢:86-755-83294757
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