ADP480120W3是專為混合動力和電動汽車牽引逆變器優(yōu)化設(shè)計的緊湊型六封裝模塊。該電源模塊的開關(guān)采用第三代碳化硅功率 MOSFET,具有極低的 RDS(on)、極小的開關(guān)損耗以及在同步整流工作模式下的出色性能。這將確保最終應(yīng)用的超高效率,節(jié)省電池充電周期。
ADP480120W3 的特點
通過 AQG 324 認(rèn)證
1200 V 阻塞電壓
1.9 mΩ 的典型 RDS(on)
最高工作結(jié)溫 TJ = 175 °C
開關(guān)能量極低
低電感緊湊型設(shè)計,功率密度更高
Si3N4 AMB 襯底可提高散熱性能
SiC 功率 MOSFET 芯片燒結(jié)在襯底上,提高了使用壽命
4.2 kV DC 1 秒絕緣
直接冷卻銅基板,帶針形鰭片
三個集成式 NTC 溫度傳感器
與相電流檢測兼容的長交流母線
ADP480120W3 的應(yīng)用
主逆變器(電力牽引)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
HFA80A-F2Y
HFA80A-F2Y 是一款 D 類音頻放大器,采用 BCD9s 技術(shù),專為汽車應(yīng)用而設(shè)計。HFA80A-F2Y 集成了先進(jìn)的解決方案,具有出色的輻射噪聲抗擾度和 2 MHz 開關(guān) PWM D 類輸出級的優(yōu)勢。這種配置可實現(xiàn)出色的音頻性能,同時設(shè)計出結(jié)構(gòu)緊湊、成本低廉的應(yīng)用。HFA80A-F2Y 的規(guī)格類別…STM32H523ZET6
概述:STM32H523ZET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523ZET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用144引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…STM32H523ZEJ6
概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用144引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用100引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用100引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用64引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…電話咨詢:86-755-83294757
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