商品名稱：?偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器(PSRAM)
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：24-FBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
S27KS0643GABHV020 64Mb 工業(yè)級 HYPERRAM器件是一款高速CMOS、自刷新DRAM，具有xSPI(八進(jìn)制)接口。DRAM陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。
規(guī)格
存儲器類型：易失
存儲器格式：PSRAM
技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）
存儲容量：64Mbit
存儲器組織：8M x 8
存儲器接口：SPI - 八 I/O
時鐘頻率：200 MHz
寫周期時間 - 字，頁：35ns
訪問時間：35 ns
電壓 - 供電：1.7V ~ 2V
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝：24-FBGA（6x8）
基本產(chǎn)品編號：S27KS0643
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM（偽 SRAM） 存儲器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA（8x8）
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM（偽 SRAM） 存儲器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA（6x8）
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
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IPT025N15NM6
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