商品名稱:F-RAM(鐵電RAM)
品牌:Cypress
年份:24+
封裝:FBGA-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 16-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 F-RAM 是非易失性存儲(chǔ)器,其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了串行閃存和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
CY15x116QSN 將 16-Mb F-RAM 與高速四 SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相結(jié)合,增強(qiáng)了 F-RAM 技術(shù)的非易失性寫入能力。該器件集成了只讀器件 ID 和唯一 ID 功能,允許 SPI 總線主控器確定每個(gè)部件的制造商、產(chǎn)品密度、產(chǎn)品修訂版和唯一 ID。該器件還提供一個(gè)只讀的唯一序列號,可用于識(shí)別電路板或系統(tǒng)。
產(chǎn)品屬性
類別:存儲(chǔ)器
包裝: 托盤
零件狀態(tài): 在售
存儲(chǔ)器類型: 非易失
存儲(chǔ)器格式: FRAM
技術(shù): FRAM(鐵電體 RAM)
存儲(chǔ)容量: 16Mb
存儲(chǔ)器組織: 2M x 8
存儲(chǔ)器接口: SPI - 四 I/O,QPI
時(shí)鐘頻率: 108 MHz
訪問時(shí)間: 6.7 ns
電壓 - 供電: 1.71V ~ 1.89V
工作溫度: -40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 24-TBGA
供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA(6x8)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲(chǔ)器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲(chǔ)器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲(chǔ)器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
8-UFLGA
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲(chǔ)器 IC 4Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 6.7 ns 8-UFLGA(3.28x3.23)
Cypress
8-UFLGA
5000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲(chǔ)器 IC 8Mb SPI 20 MHz 20 ns 8-UFLGA(3.28x3.23)
Cypress
8-UFLGA
2000
FRAM(鐵電體 RAM) 存儲(chǔ)器 IC 8Mb SPI 20 MHz 20 ns 8-UFLGA(3.28x3.23)
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Cypress公司是一家知名的電子芯片制造商,其中文名稱為——賽普拉斯。 賽普拉斯在紐約股票交易所上市,在數(shù)據(jù)通信、消費(fèi)類電子等廣泛領(lǐng)域均提供芯片解決方案。公司生產(chǎn)高性能IC產(chǎn)品,用于數(shù)據(jù)傳輸、遠(yuǎn)程通訊、PC和軍用系統(tǒng)。公司1982年成立,是一家國際化大公司。目前約有…
CY15B116QSN-108BKXQ
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CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 8-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。CY15B116QI-20BKXC
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CY15B108QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 8-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。與串行閃存不同,CY15x108QSN 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?,?shù)據(jù)立即寫入存儲(chǔ)器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢,即可開始下一個(gè)總線周期。此外,與其他非易失…CY15B102QM-50SWXI
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