BM64374S-VA 是由柵極驅動器、自舉二極管、IGBT 和飛輪二極管組成的智能電源模塊。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase Inverter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.8 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 15 A
柵極—射極漏泄電流: -
Pd-功率耗散: 33 W
封裝 / 箱體: HSDIP-25
最小工作溫度: - 25 C
最大工作溫度: + 115 C
安裝風格: Through Hole
產(chǎn)品類型: IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量: 60
子類別: IGBTs
技術: Si
產(chǎn)品應用
? AC100 至 240Vrms(直流電壓:小于 400V)級電機控制
? 用于空調、洗衣機、冰箱的壓縮機電機控制
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一,總部所在地設在日本京都市,ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅動器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應用提供長期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅動電壓(最大 Rds On,最小…電話咨詢:86-755-83294757
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