CAS480M12HM3 - 1200V、2.29mΩ、62mm HM 高性能半橋 SiC 功率模塊
技術特性
高性能 62mm 基底面
低電感 (4.9 nH) 設計實現(xiàn)了高速開關和高效率,同時降低了損耗
高結溫 (175 °C) 工作
配置有第二代和第三代 SiC MOSFET
輕質 AlSiC 底板
氮化硅絕緣體具有強大的熱循環(huán)能力
應用
鐵路和牽引
太陽能和可再生能源
電動汽車充電器
工業(yè)自動化與測試
醫(yī)療電源
電機驅動器
CAS480M12HM3 - Wolfspeed 開發(fā)出 HM 功率模塊平臺,為功率密度敏感型應用提供碳化硅的優(yōu)勢,同時保持 62mm 模塊的基板兼容性。HM 平臺的碳化硅優(yōu)化封裝可實現(xiàn) 175°C 連續(xù)結溫操作,高可靠性氮化硅 (Si3N4) 電源基板可確保極端條件下的機械堅固性,并采用輕質 AlSiC 基板。HM3 非常適合醫(yī)療電源、航空航天和牽引驅動等要求苛刻的應用。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話咨詢:86-755-83294757
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