商品名稱：GCMS040A120S1-E1
品牌：SemiQ
年份：24+
封裝：SOT-227
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
GCMS040A120S1-E1 1200V SiC MOSFET模塊在高溫下具有低導通電阻和出色的開關性能，簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設計。SemiQ SiC MOSFET模塊以零開關損耗運行，可顯著提高效率并減少散熱，從而允許更小的散熱器。
優(yōu)勢
高開關頻率工作時出色的功率轉換效率
低開關損耗和低EMI噪聲
非常堅固且易于安裝
直接安裝到散熱器上（隔離封裝）
低結至外殼熱阻
由于VF的正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)
符合RoHS標準
應用
光伏逆變器
航空航天致動器
服務器電源
高壓交流/DC轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊，提升能源標準。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應用的創(chuàng)新設計。產(chǎn)品屬性FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：113…
GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關損耗、低結殼熱阻以及非常堅固和易于安裝的特點。該模塊在175C結溫下工作，符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉換器。規(guī)格技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功…
GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。器件：GCMX010A120B3B1P類型：SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）…
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術：碳化硅（SiC）配置：4 N 溝道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET …電話咨詢：86-755-83294757
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