商品名稱:STM32H563IIK6
數(shù)據(jù)手冊:STM32H563IIK6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:UFBGA176
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STM32H563IIK6器件是基于高性能Arm? Cortex?-M33 32位RISC內(nèi)核的高性能微控制器系列(STM32H5系列)。它們的工作頻率高達250 MHz。
該器件嵌入了高速存儲器(2 Mbytes的雙庫閃存和640 KB的SRAM)、一個靈活的外部存儲器控制器(FMC)(用于具有100引腳及以上封裝的器件)、一個Octo-SPI存儲器接口(所有封裝上至少有一個Quad-SPI)以及連接到三個APB總線、三個AHB總線和一個32位多AHB總線矩陣的廣泛的增強I/O和外設(shè)。
特點
內(nèi)核
Arm? Cortex?-M33 CPU,帶有TrustZone?,F(xiàn)PU,頻率高達250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)
ART加速器
8K字節(jié)的指令緩存,允許從閃存和外部存儲器的0等待狀態(tài)執(zhí)行
用于外部存儲器的4K字節(jié)數(shù)據(jù)高速緩存
基準測試
1.5 DMIPS/MHz (Drystone 2.1)
1023 CoreMark? (4.092 CoreMark?/MHz)
存儲器
高達2兆字節(jié)的嵌入式閃存,帶ECC,2個庫的讀寫功能
每組高達48K字節(jié),具有高循環(huán)能力(100K循環(huán))的數(shù)據(jù)閃存
2K字節(jié)的OTP(一次性可編程)
640千字節(jié)的SRAM(64千字節(jié)的帶ECC的SRAM2和320千字節(jié)的帶靈活ECC的SRAM3)
在最低功率模式下有4KB的備份SRAM
靈活的外部存儲器控制器,具有高達16位的數(shù)據(jù)總線: SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存儲器
一個Octo-SPI存儲器接口,支持串行PSRAM/NAND/NOR、Hyper RAM/flash幀格式
兩個SD/SDIO/MMC接口
時鐘管理
內(nèi)部振蕩器: 64 MHz HSI, 48 MHz HSI48, 4 MHz CSI, 32 kHz LSI
通用輸入/輸出
多達139個具有中斷能力的快速I/O(大多數(shù)為5V耐受)
多達10個I/O,獨立電源低至1.08V
低功耗
睡眠、停止和待機模式
VBAT為RTC、32x 32位備份寄存器供電
安全性
Arm? TrustZone?與Armv8-M主線安全擴展
多達八個可配置的SAU區(qū)域
TrustZone?感知和安全的外設(shè)
具有安全調(diào)試認證的靈活的生命周期計劃
SFI(安全固件安裝)
支持TF-M的安全固件升級
HASH硬件加速器
真正的隨機數(shù)發(fā)生器,符合NIST SP800-90B標準
96位唯一的ID
主動篡改器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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