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商品名稱(chēng):LMG3411R150RWHR
數(shù)據(jù)手冊(cè):LMG3411R150RWHR.pdf
品牌:TI
年份:21+
封裝:VQFN32
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
LMG341xR150 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越硅 MOSFET,包括超低輸入和輸出電容值、可將開(kāi)關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)支持諸如圖騰柱 PFC 之類(lèi)的密集高效拓?fù)洹?/p>
LMG341xR150 通過(guò)集成一系列獨(dú)特的 特性 提供了傳統(tǒng)共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 的智能替代產(chǎn)品,以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能。集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持 100V/ns 開(kāi)關(guān)(Vds 振鈴幾乎為零),低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件,過(guò)熱關(guān)斷可防止熱逃逸,而且系統(tǒng)接口信號(hào)可提供自監(jiān)控功能。
特性
?TI GaN 工藝通過(guò)了實(shí)際應(yīng)用硬開(kāi)關(guān)任務(wù)剖面可靠性加速測(cè)試
?支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
與共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 相比具有卓越的系統(tǒng)性能
低電感 8mm x 8mm QFN 封裝簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)和布局
可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度確保開(kāi)關(guān)性能和 EMI 控制
數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
僅需 +12V 非穩(wěn)壓電源
?集成柵極驅(qū)動(dòng)器
零共源電感
20ns 傳播延遲確保 MHz 級(jí)工作頻率
工藝經(jīng)過(guò)調(diào)整的柵極偏置電壓確??煽啃?/p>
25V/ns 至 100V/ns 的用戶(hù)可調(diào)節(jié)壓擺率
逐周期過(guò)流保護(hù)
?強(qiáng)大的保護(hù)
無(wú)需外部保護(hù)組件
過(guò)流保護(hù),響應(yīng)時(shí)間低于 100ns
壓擺率抗擾性高于 150V/ns
瞬態(tài)過(guò)壓抗擾度
過(guò)熱保護(hù)
針對(duì)所有電源軌的 UVLO 保護(hù)
?器件選項(xiàng):
LMG3410R150:鎖存過(guò)流保護(hù)
LMG3411R150:逐周期過(guò)流保護(hù)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
德州儀器(Texas Instruments),簡(jiǎn)稱(chēng)TI,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為現(xiàn)實(shí)世界的信號(hào)處理提供創(chuàng)新的數(shù)字信號(hào)處理(DSP)及模擬器件技術(shù)。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外,還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。TI總部位于美國(guó)德克薩斯州的達(dá)拉斯,并在25多個(gè)國(guó)家設(shè)有制造…
DP83TC811SWRNDRQ1
DP83TC811SWRNDRQ1低功耗汽車(chē)PHYTER 100BASE-T1以太網(wǎng)物理層收發(fā)器通過(guò)屏蔽單雙絞線提供傳輸和接收數(shù)據(jù)所需的物理層功能。該器件通過(guò)支持標(biāo)準(zhǔn)MII、RMII、RGMII和SGMII MAC接口實(shí)現(xiàn)xMII靈活性。配套診斷工具套件通過(guò)各種實(shí)時(shí)監(jiān)控工具集成調(diào)試工具和測(cè)試模式。該套件包含一…M0G3506QPTRQ1
M0G3506QPTRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強(qiáng)型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺(tái),工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過(guò)成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴(kuò)展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…M0G3505QPTRQ1
M0G3505QPTRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強(qiáng)型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺(tái),工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過(guò)成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴(kuò)展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…M0G3506QPMRQ1
M0G3506QPMRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強(qiáng)型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺(tái),工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過(guò)成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴(kuò)展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…M0G3505QPMRQ1
M0G3505QPMRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強(qiáng)型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺(tái),工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過(guò)成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴(kuò)展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…M0G3106QPTRQ1
M0G3106QPTRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強(qiáng)型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺(tái),工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過(guò)成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴(kuò)展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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