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NTTFS6H850NTAG - 80V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品概述

NTTFS6H850NTAG 是采用 3x3mm 扁平引線封裝的商用功率 MOSFET 晶體管，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 11A（Ta），68A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 9.5 毫歐 @ 10A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 70μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 19 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1140 pF @ 40 V  

功率耗散（最大值） 3.2W（Ta），107W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 8-WDFN（3.3x3.3）  

封裝/外殼 8-PowerWDFN 

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