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DGD05473FN-7是一種能夠驅(qū)動N溝道MOSFET的高頻柵極驅(qū)動器。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器的額定電壓高達50V。

DGD05473FN-7邏輯輸入與標準TTL和CMOS電平兼容（低至3.3V），可輕松與MCU接口。高側(cè)和低側(cè)的UVLO將保護MOSFET的供電損耗。為了保護MOSFET，交叉導通防止邏輯防止HO和LO輸出同時導通。

產(chǎn)品特征
50V浮動高壓側(cè)驅(qū)動器
以半橋配置驅(qū)動兩個N溝道MOSFET
1.5A源/2.5A匯輸出電流能力
包括內(nèi)部自舉二極管
高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器的欠電壓鎖定
延遲匹配最大5ns
典型的傳播延遲為20ns
邏輯輸入（HIN、LIN和EN）3.3V能力
超低待機電流（<1μA）
擴展溫度范圍：-40°C至+125°C

產(chǎn)品應用
DC-DC轉(zhuǎn)換器
電機控制裝置
電池供電的手動工具
eCig設(shè)備
D類功率放大器

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