商品名稱:PSMN4R8-100BSE
數(shù)據(jù)手冊(cè):PSMN4R8-100BSE.pdf
品牌:NXP
年份:21+
封裝:TO-263
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:10000 件
描述:表面貼裝型 N 通道 100 V 120A(Tj) 405W(Tc) D2PAK
產(chǎn)品屬性
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 卷帶(TR)剪切帶(CT)
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 120A(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 4.8 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 278 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 14400 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 405W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
基本產(chǎn)品編號(hào) PSMN4R8
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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