商品名稱:W25Q128JWYIM
數(shù)據(jù)手冊:W25Q128JWYIM.pdf
品牌:Winbond
年份:23+
封裝:WLCSP-21
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
W25Q128JWYIM(128M 位)串行閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。
產(chǎn)品規(guī)格
制造商: Winbond
產(chǎn)品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WLCSP-21
存儲容量: 128 Mbit
電源電壓-最小: 1.7 V
電源電壓-最大: 1.95 V
有源讀取電流(最大值): 3 mA
接口類型: SPI
最大時鐘頻率: 133 MHz
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
結(jié)構(gòu): Page Erase
存儲類型: Flash
工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C
產(chǎn)品類型: NOR Flash
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: Memory & Data Storage
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司,致力于設計、制造和銷售服務,向全球客戶提供高品質(zhì)存儲器解決方案。 產(chǎn)品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產(chǎn)品廣泛應用于物聯(lián)網(wǎng)垂直市場領域的各個公司,涵蓋…
W66BP2NQUAFJ
W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM,適合支持edge AI的設備。說明:LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM,與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣,LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而,它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬…W632GU6QB-09
W632GU6QB-09器件是一款2Gb同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。該DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車,工業(yè),電視,機頂盒,網(wǎng)絡設備,計算機,BD播放器等。W632GU6QB-09的規(guī)格:存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM技術(shù):SDRAM - DDR3L存儲容量:2Gb存儲器組織…W958D6NBKX5I
W958D6NBKX5I是一款密度為256Mb的移動隨機存取內(nèi)存器件。HyperRAMTM比PSRAM具有更高的吞吐量和更小的外形尺寸。W958D6NBKX5I的規(guī)格:存儲器類型:易失存儲器格式:PSRAM技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)存儲容量:256Mb存儲器組織:16M x 16存儲器接口:HyperBus時鐘頻率:200 MHz…W634GU6RB11I
W634GU6RB11I是一款4Gbit、第三代雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。說明:DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車,工業(yè),電視,機頂盒,網(wǎng)絡設備,計算機,BD播放器等。W634GU6RB11I的規(guī)格:存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM技術(shù):SDRAM - DD…W9825G6KH-6I
W9825G6KH-6I是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM),以 4M 字 ? 4 個庫 16 位組織。W9825G6KH 的數(shù)據(jù)帶寬高達每秒 2 億字。產(chǎn)品屬性存儲器類型: 易失 存儲器格式: DRAM 技術(shù): SDRAM 存儲容量: 256Mb 存儲器組織: 16M x 16 存儲器接口: 并聯(lián) 時鐘頻率:…W632GU6MB-12
W632GU6MB-12是一款 2G 位 DDR3L SDRAM,分為 16,777,216 個字 8 個庫 16 位。該器件可實現(xiàn)高達 2133 MT/s 的高速傳輸速率(DDR3L-2133),適用于各種應用。產(chǎn)品屬性存儲器類型: 易失 存儲器格式: DRAM 技術(shù): SDRAM - DDR3 存儲容量: 2Gb 存儲器組織:128M x 1…電話咨詢:86-755-83294757
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