商品名稱:PI2EQX22024XEAEX
數(shù)據(jù)手冊:PI2EQX22024XEAEX.pdf
品牌:Diodes
年份:23+
封裝:QFN-32
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
PI2EQX22024XEAEX雙向重定時器包含接收器自適應(yīng)CTLE和發(fā)射器3抽頭均衡,其可以為5GHz信號傳輸補償高達(dá)-23dB的通道損耗。該器件為USB Type-C數(shù)據(jù)模式運行提供USB 3.2標(biāo)準(zhǔn)。操作配置可通過I2C接口進(jìn)行編程設(shè)定,以選擇1通道USB3.2 Gen1x1/Gen2x1、1/2通道USB3.2 Gen1x1/Gen2x1或USB3.2 Gen2x2。
特性
● 符合USB 10Gbps和5Gbps標(biāo)準(zhǔn)
● 支持雙端口USB抖動消除
● 通道損耗補償:-23dB(5GHz時)
● 低延遲:<1ns
● 自適應(yīng)連續(xù)時間線性均衡器 (CTLE)
● 無參考時鐘設(shè)計
● Rx端接檢測,用于節(jié)能控制
● 3抽頭發(fā)射器可選調(diào)整
● 1.8mV± 90mV單電源
● 完全無鉛,完全符合RoHS指令
● 無鹵無銻的“綠色”器件
應(yīng)用
● 源設(shè)備,包括平板電腦、智能手機、筆記本電腦、臺式電腦和一體式電腦
● 接收設(shè)備,包括監(jiān)視器和電視
● PC對接、有源電纜和加密狗(適配器)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…
DMWSH120H43SM4
DMWSH120H43SM4是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,采用4引腳TO-247封裝,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些功率MOSFET非常適合用于EV大功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、AC-DC牽引逆變器和汽車電機驅(qū)動器。DMWSH120H…DMWSH120H43SM3
DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機驅(qū)動器。DMWSH120H43SM3的規(guī)…DMWSH120H90SM3
DMWSH120H90SM3是一款1200V、41A碳化硅功率MOSFET,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機驅(qū)動器。DMWSH120H90SM3的規(guī)格:FET …DMWSH120H90SM3Q
DMWSH120H90SM3Q是一款1200V、41A N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該款MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機驅(qū)動器。DMWSH120H90SM3Q的規(guī)格:FET 類…DMWSH120H90SM4Q
DMWSH120H90SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻,同時保持出色的開關(guān)性能,非常適合高效率電源管理應(yīng)用。DMWSH120H90SM4Q的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)驅(qū)…DMWSH120H28SM4Q
DMWSH120H28SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該MOSFET具有低輸入電容,非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機驅(qū)動器。DMWSH120H28SM4Q的規(guī)格:FET…電話咨詢:86-755-83294757
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