商品名稱：BSM120C12P2C201
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
BSM120C12P2C201.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
BSM120C12P2C201 是由ROHM生產(chǎn)的SiC-DMOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的斬波結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET模塊。
屬性
類型： MOSFET
電流： 134 A
電壓： 1.2 kV
電壓 - 隔離： 2500Vrms
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
應(yīng)用
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
轉(zhuǎn)換器
光伏、風(fēng)力發(fā)電
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
N2DIP-26L
3000
功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 6 A 26-PowerDIP 模塊（0.846"，21.48mm）
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，總部所在地設(shè)在日本京都市，ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無(wú)線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛；符合…
RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管，具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管，具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛；符合…
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性：Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…
SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小…電話咨詢：86-755-83294757
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