商品名稱:1EBN1001AE
數(shù)據(jù)手冊(cè):1EBN1001AE.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:14-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
1EBN1001AE 是一款 IGBT / MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器升壓器,設(shè)計(jì)用于 10kW 以上的汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。它基于高性能雙極技術(shù),旨在取代基于分立器件的緩沖級(jí)。
產(chǎn)品屬性
驅(qū)動(dòng)配置 高壓側(cè)或低壓側(cè)
通道類型 單路
驅(qū)動(dòng)器數(shù) 1
柵極類型 IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET
電壓 - 供電 13V ~ 18V
邏輯電壓 - VIL,VIH 1.5V,3.5V
高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉) 1200 V
上升/下降時(shí)間(典型值) 50ns,90ns
工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝 PG-DSO-14-43
目標(biāo)應(yīng)用
用于汽車混合動(dòng)力車 (HEV) 和電動(dòng)車 (EV) 的逆變器。
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
工業(yè)驅(qū)動(dòng)器。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號(hào):IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150 V 市場(chǎng)中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號(hào):IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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