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STGW75H65DFB2-4  650V HB2系列IGBT代表了先進的專有溝槽柵極場截止結構的演變。該系列在低電流值下具有更好的VCE（sat）特性，并降低了開關能量，因此其性能在導通方面得到了優(yōu)化。該產品廣泛應用于焊接、功率因數校正、不間斷電源、太陽能逆變器、充電器等設備。

規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：115 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A

功率 - 最大值：357 W

開關能量：992μJ（開），766μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：207 nC

25°C 時 Td（開/關）值：22ns/121ns

測試條件：400V，75A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：88 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-4

供應商器件封裝：TO-247-4

基本產品編號：STGW75

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