商品名稱：BUK7S1R0-40HJ
數(shù)據(jù)手冊：
BUK7S1R0-40HJ.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：LFPAK88
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BUK7S1R0-40HJ 40V N溝道MOSFET采用最新的Trench 9低電阻超級結(jié)技術(shù)，具有業(yè)界領(lǐng)先的功率密度，是D2PAK的替代產(chǎn)品。該器件采用銅夾LFPAK88封裝，符合AEC-Q101汽車標準，可提供高性能和高可靠性。
規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：325A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1 毫歐@ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10322 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：375W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：LFPAK88（SOT1235）
封裝/外殼：SOT-1235
基本產(chǎn)品編號：BUK7S1
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導體（中國）有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率，生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件，每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
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PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
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GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
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GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
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GANE3R9-150QBAZ
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