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商品名稱(chēng):RGTH80TS65DGC13
數(shù)據(jù)手冊(cè):RGTH80TS65DGC13.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
RGTH80TS65DGC13 650V IGBT 有 RGTV(短路容差型)和 RGW(高速開(kāi)關(guān)型)系列,具有同類(lèi)領(lǐng)先的效率和軟開(kāi)關(guān)功能。這些 ROHM IGBT 的連續(xù)集電極電流范圍為 20A 至 80A(取決于工作溫度),采用管式封裝。650V IGBT 是通用變頻器和轉(zhuǎn)換器中功率轉(zhuǎn)換的理想選擇,適用于交流電、感應(yīng)加熱器等消費(fèi)電器,以及包括電源調(diào)節(jié)器、電焊機(jī)和 UPS 在內(nèi)的工業(yè)設(shè)備。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類(lèi)型: 溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 70 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值:234 W
輸入類(lèi)型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 79 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值: 34ns/120ns
測(cè)試條件: 400V,40A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr): 236 ns
工作溫度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: TO-247G
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠(chǎng)商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無(wú)線(xiàn)、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET,采用小型TO-263-7封裝。其特點(diǎn)包括耐高壓、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度。SCT3160KWATL的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tj)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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