商品名稱:IPB60R060C7
數據手冊:IPB60R060C7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數量:2000 件
IPB60R060C7 的關斷損耗(E oss)降低了約 50%,在 PFC、TTF 和其他硬開關拓撲中提供了出色的性能。IPB60R060C7 還是高功率密度充電器設計的完美選擇。
特性
降低開關損耗參數,如 Q G、C oss、E oss
同類最佳性能系數 Q G*R DS(on)
開關頻率提高
全球最佳 R (on)*A
堅固的體二極管
優(yōu)點
可在不降低效率的情況下提高開關頻率
測量顯示輕載和滿載效率的關鍵參數
開關頻率提高一倍,磁性元件的尺寸減半
相同 R DS(on) 時封裝更小
可用于硬開關和軟開關拓撲的更多位置
應用
服務器
電信
個人電腦電源
太陽能
工業(yè)
USB-PD
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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