商品名稱:IPTG044N15NM5
數(shù)據(jù)手冊:IPTG044N15NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOG-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPTG044N15NM5的設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可達(dá)到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應(yīng)用包括計(jì)算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。它們還可用于開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機(jī)控制、微型太陽能逆變器和快速開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):19.4A(Ta),174A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):4.4 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 235μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):89 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7000 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),300W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HSOG-8
封裝/外殼:8-PowerSMD,鷗翼
應(yīng)用
● 臺式機(jī)和服務(wù)器r
● 單相和多相PoL
● 筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調(diào)節(jié)
● 高功率密度電壓調(diào)節(jié)器
● O形環(huán)
● 電子保險絲
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…PASCO2V15
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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