chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):NEH2000BYJ
數(shù)據(jù)手冊(cè):NEH2000BYJ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:HWQFN-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NEH2000BYJ 是適用于低功耗應(yīng)用的高性能能量采集解決方案。NEH2000BYJ 可采集光電(PV)電池產(chǎn)生的能量。這些能量可為充電電池充電。
NEH2000BYJ 采用塑料 16 端子四扁平封裝,3 mm x 3 mm。
特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
高效率、低功耗直流-直流轉(zhuǎn)換器
采集功率范圍為 35 μW 至 2 mW
先進(jìn)的 MPPT 技術(shù)可最大限度地提高效率
超快 MPPT 間隔為 0.7 秒
體積小,無(wú)需外部電感器
與各種類(lèi)型的充電電池兼容
應(yīng)用
無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
智能遙控器
電子貨架標(biāo)簽
可穿戴設(shè)備
工業(yè)和環(huán)境監(jiān)測(cè)
消費(fèi)電子產(chǎn)品
信標(biāo)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
WLP-16
1000
專(zhuān)業(yè)電源管理 (PMIC) 配備 4 個(gè)輸出 SIMO 的 Nano Power PMIC 可提供高達(dá) 1.25W 的輸出功率
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線(xiàn)品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià),也可以通過(guò)電話(huà)以及郵箱咨詢(xún)。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專(zhuān)業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿(mǎn)足汽車(chē)…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無(wú)關(guān)的快速平穩(wěn)開(kāi)關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開(kāi)關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無(wú)引線(xiàn)接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)雙向器件超高開(kāi)關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無(wú)鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件,具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無(wú)引線(xiàn)封裝 (VQFN)。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開(kāi)關(guān)超高頻開(kāi)關(guān)能力無(wú)體二極…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: