商品名稱:PI3A27518Q2ZDWEX
數(shù)據(jù)手冊:PI3A27518Q2ZDWEX.pdf
品牌:Diodes
年份:23+
封裝:24-VQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
PI3A27518Q2ZDWEX是一款 6 通道 1:2 多路復(fù)用器/解復(fù)用器。COMx 端口可配置為以 4 種不同模式連接 NOx 或 NCx 端口,工作電壓范圍寬、功耗極低,封裝小巧,它可用作模擬開關(guān)或低延遲總線開關(guān)。在 +3.3V 時為 5Ω,先斷后連開關(guān)可防止同時啟用兩個開關(guān),這消除了開關(guān)期間的信號中斷。
產(chǎn)品屬性
開關(guān)電路:SPDT
多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:2:1
電路數(shù):6
導(dǎo)通電阻(最大值):5.2 歐姆
通道至通道匹配 (ΔRon):300 毫歐
電壓 - 電源,單 (V+):1.65V ~ 3.6V
開關(guān)時間 (Ton, Toff)(最大值):30ns,30ns
-3db 帶寬:380MHz
溝道電容 (CS(off),CD(off)):10pF,16pF
電流 - 漏泄 (IS(off))(最大值):2μA
串?dāng)_:-62dB @ 10MHz
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
封裝/外殼:24-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:24-VQFN(4x4)
應(yīng)用
● SD-SDIO 和 MMC 雙端口多路復(fù)用器
● qSPI 雙端口多路復(fù)用器
● ADAS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…
DMWSH120H43SM4
DMWSH120H43SM4是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,采用4引腳TO-247封裝,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些功率MOSFET非常適合用于EV大功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、AC-DC牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H…DMWSH120H43SM3
DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H43SM3的規(guī)…DMWSH120H90SM3
DMWSH120H90SM3是一款1200V、41A碳化硅功率MOSFET,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H90SM3的規(guī)格:FET …DMWSH120H90SM3Q
DMWSH120H90SM3Q是一款1200V、41A N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該款MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H90SM3Q的規(guī)格:FET 類…DMWSH120H90SM4Q
DMWSH120H90SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻,同時保持出色的開關(guān)性能,非常適合高效率電源管理應(yīng)用。DMWSH120H90SM4Q的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)驅(qū)…DMWSH120H28SM4Q
DMWSH120H28SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET設(shè)計用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該MOSFET具有低輸入電容,非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動器。DMWSH120H28SM4Q的規(guī)格:FET…電話咨詢:86-755-83294757
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