商品名稱:GNP1150TCA-ZE2
數(shù)據(jù)手冊(cè):GNP1150TCA-ZE2.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:8-PowerDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
GNP1150TCA-ZE2采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護(hù)和出色的散熱性能,方便安裝。應(yīng)用包括高開(kāi)關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,5.5V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):195 毫歐 @ 1.9A,5.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.4V @ 18mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):2.7 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+6V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):112 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:DFN8080AK
封裝/外殼:8-PowerDFN
應(yīng)用
● 高切換頻率轉(zhuǎn)換器
● 高密度轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無(wú)線、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車(chē)應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…SCT3160KWATL
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