商品名稱:TLE493DW2B6A1HTSA1
數(shù)據(jù)手冊:TLE493DW2B6A1HTSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:SOT-23-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
TLE493DW2B6A1HTSA1 是帶 I2C 接口和喚醒功能的低功耗 3D 霍爾傳感器。
產(chǎn)品特性
±160 mT 的 3D 磁通密度檢測。
可編程磁通分辨率低至 65 μT(典型值)。
X-Y 角度測量模式
診斷測量,用于檢查傳感器的數(shù)字部件、模擬部件和霍爾探頭
7 nA(典型值)功耗的掉電模式
每個測量方向的數(shù)據(jù)分辨率為 12 位,溫度傳感器為 10 位
可變的更新頻率和電源模式(可在運行期間進行配置)
溫度范圍 Tj = -40°C...125°C, 電源電壓范圍 = 2.8 V...3.5 V
可通過 I2C 協(xié)議由外部 μC 觸發(fā)
向微控制器發(fā)出中斷信號,指示測量有效
應(yīng)用
TLE493D-W2B6 可用于各種傳感應(yīng)用,包括以下應(yīng)用:
變速桿位置
頂柱模塊和多功能方向盤中的控制元件
多功能旋鈕
踏板/閥門位置傳感
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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