商品名稱:BGT24AT2E6433
數(shù)據(jù)手冊:BGT24AT2E6433.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:QFN-32
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
BGT24AT2E6433 是一款低相位噪聲 24 GHz ISM 波段多功能信號源,采用單片鍺硅半導體工藝技術制造。
它包含一個 24 GHz 基頻壓控振蕩器和一個分頻比為 1024 的分頻器。分頻器輸出為差分輸出。
功能特點
24 GHz 信號源,帶 2 個發(fā)射器輸出和 1 個本地振蕩器輸出
外部/內部相位反轉和射頻脈沖功能
具有 6 位分辨率的可編程增益放大器 (PGA)
完全集成的低相位噪聲 VCO
具有 23.5 MHz 輸出的分頻器
片上射頻電平和溫度傳感器
模擬傳感器信號的多路輸出
單端射頻終端
單電源電壓:3.3 V typ.
低功耗: 典型值:775 mW
200 GHz 雙極 SiGe:C 技術 b7hf200
完全 ESD 保護器件
VQFN-32-9 無引線塑料封裝,包括引線端頭檢測 (LTI) 功能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號:IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6:150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-HDSOP-16型號:IPTC025N15NM6封裝:PG-HDSOP-16類型:N-通道功率 MOSFET 晶體管概述:IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技IPT025N15NM6
IPT025N15NM6:150V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管型號:IPT025N15NM6封裝:PG-HSOF-8類型:功率 MOSFET 晶體管IPT025N15NM6 - 產品規(guī)格:系列:OptiMOS? 6FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):150 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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