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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

S25HL512TDPMHB010

產(chǎn)品說明：FLASH - NOR 存儲器 IC 512Mb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 16-SOIC

封裝：16-SOIC
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPN70R600P7S

產(chǎn)品說明：表面貼裝型 N 通道 700 V 8.5A（Tc） 6.9W（Tc） PG-SOT223

封裝：SOT-223
10起
12000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R014M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200V 14mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R075M1H

產(chǎn)品說明：TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000 V SiC溝槽MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R012M1H

產(chǎn)品說明：TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000 V SiC溝槽MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R048M1H

產(chǎn)品說明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R045M1H

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R030M1H

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝

封裝：TO-247-3
10起
1920
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R027M1H

產(chǎn)品說明：650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R350M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-4封裝的CoolSiC? 1200 V 溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1H

產(chǎn)品說明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1200
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R090M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-4封裝的CoolSiC? 1200 V 溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R350M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
1200
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R220M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R220M1H

產(chǎn)品說明：采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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